芯片描述
芯片特點(diǎn)
○ | 2k×16-bit OTP ROM | ○ | 80×8-bit SRAM | |
○ | 8 級(jí)堆棧空間 | ○ | 可編程 WDT 預(yù)分頻器 | |
○ | 可編程 WDT 時(shí)間(4.5ms、18ms),可控制 WDT 自由運(yùn)行時(shí)間 | ○ | 帶信號(hào)源選擇、觸發(fā)沿選擇、溢出中斷及預(yù)分頻器的 8 位實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計(jì)數(shù)(TCC) | |
○ | 工作電壓范圍:2.1V~5.5V(-0℃~70℃)2.3V~5.5V(-40℃~85℃) | ○ |
工作頻率范圍(2 分頻): 晶振模式:DC~16MHz,4.5V;DC~8MHz,3V; DC~4MHz,2.1V ERC 模式:DC~2MHz,2.1V IRC 模式:16MHz,4MHz,1MHz,8MHz |
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○ | 系統(tǒng)高低頻率的界限是 400kHz | ○ |
低功耗: 小于 1.5mA(4MHz/5V) 典型 15?A (32kHz/3V) 典型 2?A(睡眠模式,WDT 關(guān)閉,LVD 關(guān)閉) |
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○ | 內(nèi)置 RC 振蕩電路:16MHz、1MHz、4MHz、8MHz | ○ | 低壓復(fù)位:4.0V±0.3V、3.5V±0.3V、2.7V±0.3V @25℃ | |
○ | 低壓檢測(cè):4.5±0.2V、4.0±0.2V、3.3±0.2V、2.2±0.2V @25℃ | ○ |
中斷源: TCC 溢出中斷 (IDLE 模式喚醒) 外部中斷 (SLEEP/IDLE 模式喚醒) 比較器輸出狀態(tài)改變中斷 (SLEEP/IDLE 模式喚醒) ADC 轉(zhuǎn)換完成中斷 (SLEEP /IDLE 模式喚醒) PWM1~3 周期中斷 (IDLE 模式喚醒) PWM1~3 占空比中斷 (IDLE 模式喚醒) P0 端口輸入狀態(tài)改變中斷 (SLEEP /IDLE 模式喚醒) LVD 中斷 (SLEEP /IDLE 模式喚醒) |
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○ |
雙向 I/O 口: 17 位可編程控制 pull-high I/OS(P1<7:0>,P0<7:0>,P20) 16 位可編程控制 open-drain I/OS(P1<7:0>,P0<7:0>) 17 位可編程控制 pull-low I/OS(P1<7:0>,P0<7:0>,P20) 14 位可編程控制 high-sink current I/OS (P1<7:0>,P0<7:6>,P0<4:1>) |
○ | 指令周期長(zhǎng)度選擇:2/4/8/16 個(gè)振蕩時(shí)鐘 | |
○ | 封裝形式:DIP/SOP/SSOP20,DIP/SOP18 |
芯片框圖
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